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季振国; 冯丹丹; 席俊华; 毛启楠; 袁苑; 郝芳; 陈敏梅;
杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州,310018;
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027;
X射线衍射; 紫外-可见反射; 无损检测;
机译:通过热反射,光致发光和非接触电反射光谱学研究AlGaN / GaN异质结构的带边结构和内置电场
机译:通过热反射,光致发光和非接触电反射光谱法对AlGaN / GaN异质结构的带边结构和内置电场进行光学研究
机译:通过电反射光谱研究栅金属引起的GaN / AlGaN / GaN异质结构中表面施主密度的降低
机译:Al2O3层和蚀刻深度对栅极凹陷Al2O3 / AlGaN / AlGaN / GaN MOS-HEMT中2deg薄片密度的影响机理
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:非接触电反射光谱法研究AlGaN / GaN晶体管异质结构中的GaN表面量子阱
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:GaN / AlGaN /或AlGaN / AlGaN量子阱结构的形成方法
机译:利用掺杂的Algan / GAN HEMT结构的肖特基二极管型PH传感器
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
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