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刘忠良; 刘金锋; 任鹏; 李锐鹏; 徐彭寿; 潘国强;
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029;
X射线衍射; 掠入射衍射; 硅; 碳化硅; 固源分子束外延;
机译:用X射线衍射和掠入射法研究Si(111)注入As离子
机译:Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜石墨化的低能电子衍射和X射线光电子能谱研究
机译:掠入射X射线衍射和密度泛函理论研究Ag(111)上硅的结构和稳定性
机译:基于同步辐射的掠入射X射线衍射研究3C-SiC(100)5×2表面重建的结构
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:通过掠入射X射线衍射确定Pt(111)邻近表面上的阶跃相互作用:阶跃取向的影响
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:SIC层形成方法,3C-SIC表皮基板制造方法和3C-SIC表皮基板
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:3C-SiC在单晶硅上生长外延3C-SiC
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