Texas A&M University - Kingsville.;
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机译:不同传输模型对高频4H-SiC和6H-SiC垂直MESFET的仿真影响
机译:3C-SiC和4H-SiC功率MOSFET的比较
机译:弹道条件下的3C-SiC和Si纳米线FET的理论比较
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:用于研究纳米线FET的性能和可变性的多方法仿真工具箱
机译:在4H-SiC(0001),(1120)和6H-SiC(0001)上的RESURF MOSFET的设计和制造
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究