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吕英; 庞爱锁; 杨伟锋; 陈厦平; 朱会丽; 吴正云;
厦门大学物理系;
福建厦门361005;
SiC; ICP刻蚀; 工作压强; 表面损伤;
机译:PECVD SiC薄膜的ICP刻蚀和结构研究
机译:利用硅蒸气刻蚀工艺表征无表面损伤的4H-SiC晶片制成的pn二极管
机译:F +刻蚀SiC的角效应:MD研究%F +刻蚀SiC的角效应:MD研究
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)对补偿结构辅助凸角和凹角结构刻蚀的研究
机译:研究了不同添加剂对夯土的抗压强度和抗弯强度的影响。
机译:6H-SiC化学刻蚀的新方法
机译:SiC电感耦合等离子体刻蚀的机理和表面损伤
机译:反应离子刻蚀和溅射刻蚀诱导Gaas表面损伤
机译:在碳化硅(SiC)基质的光电化学刻蚀中使用的刻蚀剂,刻蚀装置和刻蚀方法
机译:单晶SiC晶片的湿法刻蚀方法,湿法刻蚀溶液和湿法刻蚀装置
机译:等离子刻蚀工艺,在不同的径向气体注入区域中使用具有不同刻蚀速率和聚合物沉积速率的聚合刻蚀气体进行时间调制
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