电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用

摘要

采用电子柬蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜，通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征。进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜，对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化。XRD测试、电学性能测试以及可见一红外光谱透射率测试结果表明，硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si（111）的衍射峰，薄膜的导电性得到了提高，且具有较强的红外反射能力，表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值。同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass／Si／Ag／Si的Ag基低辐射玻璃，通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用。