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邹德恕; 陈建新; 沈光地; 张时明; 邓军;
北京工业大学电子工程系;
硅; HBT; 异质结; 应变层; 折射率; 电子束;
机译:Poly Si_(1-x)Ge_x薄膜中具有Ge含量的Poly Si_(1-x)Ge_x / ZrO_2的界面反应
机译:各向异性平行Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中具有平行纳米管动能耦合效应的纳米Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中的隧穿电流模型
机译:应变n型Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x双势垒结构中的电子隧穿
机译:SI_(1-x)GE_x和受约束的SI / SI_(1-x)GE_x中B和AS植入的SIMS深度分析
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:二氧化硅细结构薄膜,中孔二氧化硅薄膜,形成二氧化硅细结构薄膜的方法和形成中孔二氧化硅薄膜的方法
机译:为了限制半驱动器中的相互扩散,如果/ si x 1-x,x等于1或x,则具有复合网格。
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