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葛瑞萍; 韩平; 吴军; 俞斐; 赵红; 谢自力; 张荣; 郑有炓;
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;
Si1-xGex∶C合金薄膜; 化学气相淀积; 生长温度; 载流子;
机译:Poly Si_(1-x)Ge_x薄膜中具有Ge含量的Poly Si_(1-x)Ge_x / ZrO_2的界面反应
机译:固相外延生长Si_(1-_x)Ge_x层中的应变松弛机制影响Si_(1-_x)Ge_x Layeyre生长的成分和生长温度
机译:固相外延生长的Si_(1-x)Ge_x层中的应变弛豫机制:层组成和生长温度的影响
机译:氧气掺入的生长速率和温度依赖性在Si_(1-x)Ge_x薄膜中
机译:在Bridgman环境中径向和轴向温度对硅(x)-锗(1-x)块状单晶生长的影响的研究。
机译:不同的退火气体对生长的影响FTO衬底上生长的CuO薄膜的发光特性和光电流性能
机译:通过分子束外延对在(100)Si上生长的Si_(1-x)Ge_x合金进行(2X8)表面重构的观察
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。
机译:Ba(1-x)SRxTiyO3薄膜的形成,能够在低温下反复进行涂层和煅烧的组合物以及Ba(1-x)SRxTiyO3薄膜的形成方法
机译:Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体的生长方法以及Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体衬底
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