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用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文)

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摘要

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益β为144·25,BVCBO为9V.

著录项

来源
《半导体学报》 |2006年第1期|9-13|共5页
作者
薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.4;
关键词
Si1-x; Gex/Si; HBT; 高频; 大功率; 无线功率放大器;

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