GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究

摘要

分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数.利用241Am和239Pu两种d粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程.根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器241Am源的能谱.修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10V时,5.48 MeV的241Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV.