ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В ДЕТЕКТОРАХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ И РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ Al/i-GaAs

摘要

Проведены исследования параметров глубоких центров в барьерных структурах на основе собственного арсенида галлия, используемых в детекторах заряженных частиц и рентгеновского излучения, методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) и спектроскопии низкочастотного (НЧ) шума. В образцах обнаружены два глубоких уровня (ГУ) с разной слоевой концентрацией. Показано, что высокотемпературный ГУ, имеющий большую энергию ионизации, определяет уровень спектральной плотности мощности избыточного шума и величину обратных токов детектора на основе структур Al/i-GaAs. Получено совпадение значений энергий ионизации ГУ, найденных методами РСГУ и спектроскопии НЧ-шума.