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刘云燕; 袁玉珍;
山东理工大学物理系;
GaN; 紫外探测器; 光电导; 光伏; MSM;
机译:具有5对AlGaN-GaN中间层的GaN基肖特基势垒紫外光电探测器
机译:使用微热母细胞减少GaN基紫外光探测器中衰减时间的容易方法
机译:供体 - 受体对发射对GaN基紫外光电探测器性能的相关性
机译:p-GaN层掺杂对GaN基p-i-n紫外光电探测器的光响应的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:金纳米等离子体介导的表面等离激元增强GaN纳米结构紫外光电探测器
机译:通过掺入局部表面等离子体共振的共振耦合,通过掺入GaN上的等离子体纳米颗粒的改进紫外光探测器的光响应
机译:GlGaN / GaN紫外光电探测器中的缺陷减少。
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
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