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王果; 付凯; 姚昌胜; 王金延; 陆敏;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
江苏苏州215123;
北京大学深圳研究生院;
广东深圳518055;
北京大学;
北京100871;
自支撑氮化镓电流-电压特性; PL谱图;
机译:通过提高工作温度对强辐照SiC基核辐射探测器的特性进行校正
机译:核辐射的位置敏感探测器及其电流 - 电压特性的研究
机译:坐标敏感的核辐射探测器及其伏安特性研究
机译:GaN基p-i-n光电探测器的低温特性以及MCT / GaN基红外/紫外线双色探测器的性能
机译:GaN基异质结场效应晶体管的直流,微波和噪声特性及其可靠性问题。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:用于不扩散应用的纳米结构核辐射探测器研究的初步结果
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:锗半导体核辐射探测器产品-侧面带有钝化膜,具有稳定的电流-电压特性
机译:无弯曲特性的自支撑GaN晶片的制造方法
机译:用于研究协调粒子探测器的管子特性的装置
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