GaN核辐射探测器的性能研究

摘要

GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点.制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241Am α粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30％0.同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进行了能量及探测效率的测量,得到探测器的探测效率最高可达80.1％.最后,应用Keithley 2635静电计对GaN探测器的I-V曲线等进行测试,发现在-15 V偏压下,GaN探测器的本底电流密度小于70 nA/cm2.