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一种室温下工作的GaN核辐射探测器

摘要

本实用新型公开一种室温下工作的GaN核辐射探测器,该探测器包括本征GaN衬底、SiO

著录项

  • 公开/公告号CN209016077U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华理工大学;

    申请/专利号CN201821730082.5

  • 发明设计人 黄河;邹继军;朱志甫;汤彬;

    申请日2018-10-25

  • 分类号

  • 代理机构江西省专利事务所;

  • 代理人胡里程

  • 地址 344000 江西省抚州市市辖区抚州市学府路56号

  • 入库时间 2022-08-22 09:35:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    授权

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