电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析

摘要

对铜单晶循环形变的研究过程中发现了几种典型的位错组态：脉络、驻留滑移带(PSB)中的梯状位错结构、迷宫位错结构、宏观形变带(DB)中的位错墙结构。透射电子显微镜(TEM)对脉络和PSB中的位错取向研究表明这两种位错组态的产生不存在晶格的旋转。试样经过较大的累积形变后将产生DB，关于单项形变过程中形变带的形成，一般都认为存在晶格的旋转。