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周杨; 李小武; 张广平; 张哲峰;
东北大学,理学院,材料物理与化学研究所,沈阳,1100014;
东北大学,理学院,材料物理与化学研究所,沈阳,110004;
东北大学,材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳,110004;
中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳,110016;
铜单晶; 循环变形; 位错结构; SEM-ECC; 驻留滑移带PSBs;
机译:疲劳铜单晶中规则自组织位错图案引起的表面滑移形态的物理起源
机译:位错取向的单取向铜微拉伸样品中的位错存储:通过X射线微衍射的新见解
机译:γ-Ti-56Al单晶中普通位错的取向依赖性强度和滑移结构
机译:含位错的铜单晶的磁阻和费米表面。
机译:纳米压痕法制备LiTaO3单晶中取向无关的屈服应力和位错成核的活化体积
机译:面向“单滑”的单晶BCC金属异常滑移的动态位错机制
机译:面向“单滑”的单晶BCC金属中异常滑移的动态位错机制
机译:无位错单晶硅的制造方法及无位错单晶硅锭
机译:制备无位错的单晶硅棒,包括连续熔化多晶棒,用单晶种晶接种熔融材料,以及重结晶成单晶棒。
机译:具有高密度位错的一维直线排列的单晶材料,使用该单晶材料的功能装置及其制备方法
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