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砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法

摘要

一种砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法,涉及缺陷检测技术领域。砷化铟单晶片位错腐蚀液,主要由盐酸、硫酸和水组成。本发明提供的位错腐蚀液的原料价格低廉、易于得到,腐蚀效率高。本发明还提供了采用上述位错腐蚀液进行位错腐蚀检测的方法,包括如下步骤:将砷化铟单晶片置于腐蚀液中,进行腐蚀,得到位错腐蚀后的砷化铟单晶片,将完成位错腐蚀的砷化铟单晶片的表面进行清洁,再进行观察。本发明提供的位错腐蚀检测方法操作简单、腐蚀效率高,可以快速、清晰地显示砷化铟单晶片中的位错。

著录项

  • 公开/公告号CN110205681A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201910479476.0

  • 申请日2019-06-03

  • 分类号C30B33/10(20060101);C30B29/40(20060101);G01N21/88(20060101);G01N1/32(20060101);G01N17/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人喻颖

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2024-02-19 13:17:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/10 申请日:20190603

    实质审查的生效

  • 2019-09-06

    公开

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