共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

摘要

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[-2 2 3]和[-1 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[-1 1 2]晶体中的楼梯结构和[-2 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[-2 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[-1 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[-1 1 2]分别向[-1 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.