机译:旋转电子通道对比度成像分析疲劳铜单晶中位错结构
Univ Claude Bernard Lyon 1 Univ Lyon INSA Lyon CNRS Lab MATEIS 7 Ave Jean Capelle F-69621 Villeurbanne France;
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Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI); Crystal defects; Copper; Fatigue; Scanning Electron microscopy (SEM);
机译:旋转电子通道对比度成像分析疲劳铜单晶中位错结构
机译:电子通道对比成像表征与单晶和挤压系统有关的位错结构以及铜单晶中的疲劳裂纹
机译:取向为临界双滑的疲劳[017] Cu单晶中位错结构的SEM电子通道对比度成像
机译:电子通道对比成像检查疲劳铜中的位错亚结构
机译:脉冲激光辐照诱发的钼,镍和铋单晶表面缺陷结构的研究:LEED和单正氦离子通道(热应力,滑动,位移)表征。
机译:从电子显微镜图像通过单颗粒分析揭示六跨膜阳离子通道的结构
机译:耐用法检测疲劳铜单晶的位错结构
机译:通过非相干Z-对比图像的最大熵分析直接检索晶体结构