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吕喆; 乔宇; 沓世我; 朱佩; 杨丙文;
哈尔滨工业大学物理系,黑龙江哈尔滨150001;
新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,广东肇庆526020;
广东风华高新科技股份有限公司研究院,广东肇庆526020;
薄膜; 退火过程; AlN基片; NTC电阻;
机译:(002)AlN薄膜的退火工艺和纳米级压电性能的优化
机译:二次退火工艺对聚合物辅助沉积生长多晶镍衬底上BaTiO3薄膜性能的影响
机译:用于薄膜体声波谐振器的沉积在Mo电极上的AlN薄膜的性能表征
机译:在Si和用于MEMS谐振器的电极上溅射AlN薄膜:表面质量微观结构与薄膜性能之间的关系
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:通过原位X射线衍射测量来研究AlN薄膜结晶性能的宽温度范围:与基于ALN / Sapphire的SAW结构性能的相关性
机译:成长氮化铝(alN)衬底上氮化铝镓((al)GaN)薄膜缺陷的控制。
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
机译:用AlN AlN沉积压电薄膜和AlN的方法
机译:使用氮化铝(AlN)/氢化氮化铝(AlN:H)/氮化铝(AlN)的三层薄膜制造表面声波滤波器的方法
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