LaAlO_3(110)基片上BST薄膜的制备及性能研究

摘要

采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料。薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向。测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37μC/cm2,矫顽电场强度EC=31.7 kV/cm。对比不同频率下的偏压特性,100 kHz时薄膜具有最高的优值因子F,为23.4。对介电损耗在1 MHz时的增大,作出了初步的解释。