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新日铁成功研制低缺陷的100mm SiC晶圆

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据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度，其微管分布仅为0．03个／cm2，是业界最好水平。目前，

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来源
《集成电路通讯》 |2008年第2期|9|共1页
作者

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作者单位

《集成电路通讯》编辑部（摘）;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.12;
关键词
新日铁公司; 缺陷密度; SiC; Semiconductor; 晶圆; 计算机模拟技术; World; 物质转移;

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