缺陷密度

摘要： 在wxAMPS太阳能电池数值模拟软件微平台上,对ITO/ZnO/界面层(IFL)/MAPbI_(3)/Sprio-OMeTAD/Au结构的钙钛矿太阳能电池(PSCs)的电子传输层(ETL)/吸收层的界面工程进行研究。结果表明:在界面层缺陷密度低于10^(14)cm^(-3)时,PSCs的电池性能几乎不变,当缺陷密度高于10^(14)cm^(-3)时,PSCs的电池性能急剧下滑。当界面层与吸收层亲和势差(Δχ)在-0.7~-0.1 eV范围时,各项电池性能参数均随Δχ的增大而增大;当Δχ在-0.1~0.5 eV范围时,各项电池性能呈平缓增长;当Δχ大于0.5 eV时,电池的短路电流(J_(SC))呈平缓增长趋势,而开路电压(V_(OC))、填充因子(FF)及光电装换效率(PCE)快速降低。当带隙E_(g)在0.9~1.4 eV范围内增大时,PSCs的V_(OC)、FF和PCE均上升;当带隙E_(g)大于1.4 eV,PSCs的各项性能参数基本不变。

摘要： 本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga_(2)O_(3)薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响。X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向。并且,其结晶质量和生长速率均随生长气压增大而逐渐提高。通过X射线光电子能谱分析发现,生长气压增大使得氧空位的浓度大幅下降,高价态Ga比例增大,最终使得O/Ga原子数之比接近理想Ga_(2)O_(3)材料的化学计量比值。利用Tauc公式和乌尔巴赫带尾模型进行计算,结果表明随着生长气压的增大,样品的光学带隙由4.94 eV增加到5.00 eV,乌尔巴赫能量由0.47 eV下降到0.32 eV,证明了生长气压的增大有利于降低薄膜中的缺陷密度,提高薄膜晶体质量。

摘要： 为了探讨高温环境下石墨烯摩擦性能变化对其作为固体润滑剂性能的影响,采用原子力显微镜研究了单层石墨烯在空气中不同温度下退火后的摩擦学性能,比较了不同温度下退火前后摩擦力及黏附力的变化.通过拉曼光谱检测石墨烯的缺陷并计算石墨烯的缺陷密度,最后建立了不同荷载下单层石墨烯摩擦力随缺陷密度的变化关系.实验结果表明:在空气中退火后石墨烯的摩擦力及黏附力显著增强,在空气中300 °C下退火后石墨烯的摩擦力约为原始石墨烯的2～3倍,黏附力增加了1倍左右,且退火温度越高,摩擦力和黏附力的增强效果越明显;石墨烯在200～300 °C之间开始产生明显的缺陷,且缺陷密度也随着退火温度的升高而增大.高温退火后石墨烯产生的结构缺陷是导致单层石墨烯摩擦力和黏附力发生重要变化的原因.

摘要： 为通过代码审查活动达到对软件产品质量提升的作用,给出了代码审查平台搭建方案,并据此平台策划开展了多个工程的代码审查活动.利用首轮采集的数据,初步分析确立了代码审查缺陷密度模型和影响因子,计算得到了代码审查缺陷密度的基线 目标值.该模型可以供研发团队和研发团队所属组织策划确定代码审查基线,并策划开展后续代码审查活动.

摘要： 氧化镓(Ga2O3)单晶纳米带由于具有独特的性质在电子器件中具有潜在的应用,然而目前过小的接触面积使得基于这种纳米材料的器件制备变得非常复杂且充满挑战.本文利用碳热还原法,在无催化剂条件下使氧化镓粉末与碳纳米管在高温下反应,生长出不同结构的氧化镓纳米材料,发现了反应温度影响纳米结构的直径和比例的物理机制,并制备出了长达毫米级的超宽 β-Ga2O3单晶纳米带,其横向尺寸可达44.3μm.利用透射电子显微镜(TEM)可以观察到纳米带呈单晶结构,进一步拉曼散射光谱(Raman)表明这种方法生长的β-Ga2O3纳米带的应变较小,缺陷密度较低,且室温光致发光谱(PL)显示该氧化镓纳米带在激发波长295 nm下发出425 nm的稳定且高亮度的蓝光.这种生长方法可为未来器件级氧化镓纳米带制备提供有益的参考.

摘要： 设计了单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子和转化效率的影响。结果显示,背场层带隙在1.5~1.7 eV之间,背场层的掺杂浓度大于1×10^18 cm^-3时,该结构的太阳能电池有比较稳定的表现。缺陷密度增加时,太阳能电池效率随着缺陷密度的对数线性减小,当控制缺陷密度在10^11 cm^-3以下时,可以获得大于24.10%的转化效率,缺陷密度为10^9 cm^-3时,可以获得最高29.08%的转换效率。最后研究了背场层对该结构太阳能电池的作用,结果显示有效控制缺陷密度时,背场层的添加对电池效率的提升很明显。

摘要： 采用水热聚合法合成了一系列表面缺陷密度不同的有序微孔碳球(CS),并以其为载体制备了表面负载铜催化剂(Cu/CS),用于催化气相甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯.结合表征结果,研究了载体表面缺陷密度对Cu/CS催化剂结构及催化性能的影响.结果表明,CS的表面缺陷密度随其粒径增大而增大,且其缺陷密度越大,催化剂中Cu物种分散度越高;同时,较大的表面缺陷密度有利于增强载体与Cu物种间的相互作用力,促进CuO自还原为活性物种Cu2O和Cu,从而提高催化活性.长期评价结果表明,Cu物种的氧化和团聚是造成Cu/CS催化剂失活的原因.CS的表面缺陷抑制了反应过程中活性Cu物种的氧化,且缺陷密度越大,Cu物种抗氧化能力越强;但表面缺陷密度大的催化剂中Cu物种颗粒尺寸小,表面能高,因而更容易发生团聚.

摘要： 应用分子动力学方法模拟含有不同密度点缺陷的纳米镁单晶在单向压缩作用下的力学性能和微观结构演化过程,并与无缺陷下的镁单晶压缩模拟进行比对.观察到导致纯镁单晶塑性变形的微观机制,即锥面滑移,同时还观察到柱面滑移和基面滑移.研究结果表表明,点缺陷密度的增加在低温下对位错的表面形核以及晶体内部的结构演化没有明显影响.

摘要： 在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN）和双缓冲层（高温AlN＋低温GaN）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X射线衍射（DCXRD）与透射电子显微镜（TEM）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长的样品晶体质量较差，内部含有位错、反畴区和亚晶粒等缺陷，而双缓冲层上生长的GaN 只含有较低密度的位错，说明双缓冲层有效地降低了缺陷密度。并对双缓冲层减少缺陷的机理进行了研究。

摘要： 本文提出航空可刚化复合材料网格增强薄膜(CMRM)的概念,通过实验研究了含缺陷三角型网格增强薄膜的拉伸性能,并与其他不同网格形式增强薄膜进行了比较.研究发现网格增强薄膜呈现阶梯型断裂特征;缺陷对材料的拉伸弹性模量和初始屈服强度影响很大,初始屈服强度受缺陷影响程度较拉伸模量为敏感;Rotated Triangle型网格增强薄膜展现出最大的拉伸弹性模量和初始屈服强度,Kagome型网格增强薄膜展现出最低的拉伸弹性模量和初始屈服强度.

摘要： 本文提出航空可刚化复合材料网格增强薄膜(CMRM)的概念,通过实验研究了含缺陷三角型网格增强薄膜的拉伸性能,并与其他不同网格形式增强薄膜进行了比较.研究发现网格增强薄膜呈现阶梯型断裂特征;缺陷对材料的拉伸弹性模量和初始屈服强度影响很大,初始屈服强度受缺陷影响程度较拉伸模量为敏感;Rotated Triangle型网格增强薄膜展现出最大的拉伸弹性模量和初始屈服强度,Kagome型网格增强薄膜展现出最低的拉伸弹性模量和初始屈服强度.

摘要： 本文提出航空可刚化复合材料网格增强薄膜(CMRM)的概念,通过实验研究了含缺陷三角型网格增强薄膜的拉伸性能,并与其他不同网格形式增强薄膜进行了比较.研究发现网格增强薄膜呈现阶梯型断裂特征;缺陷对材料的拉伸弹性模量和初始屈服强度影响很大,初始屈服强度受缺陷影响程度较拉伸模量为敏感;Rotated Triangle型网格增强薄膜展现出最大的拉伸弹性模量和初始屈服强度,Kagome型网格增强薄膜展现出最低的拉伸弹性模量和初始屈服强度.

摘要： 本文提出航空可刚化复合材料网格增强薄膜(CMRM)的概念,通过实验研究了含缺陷三角型网格增强薄膜的拉伸性能,并与其他不同网格形式增强薄膜进行了比较.研究发现网格增强薄膜呈现阶梯型断裂特征;缺陷对材料的拉伸弹性模量和初始屈服强度影响很大,初始屈服强度受缺陷影响程度较拉伸模量为敏感;Rotated Triangle型网格增强薄膜展现出最大的拉伸弹性模量和初始屈服强度,Kagome型网格增强薄膜展现出最低的拉伸弹性模量和初始屈服强度.

摘要： 本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计、荧光光谱仪以及拉曼散射光谱等表征手段对比研究氧化锌薄膜辐照前后结构和光学性质的变化.

摘要： 本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计、荧光光谱仪以及拉曼散射光谱等表征手段对比研究氧化锌薄膜辐照前后结构和光学性质的变化.

摘要： 本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计、荧光光谱仪以及拉曼散射光谱等表征手段对比研究氧化锌薄膜辐照前后结构和光学性质的变化.

摘要： 本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计、荧光光谱仪以及拉曼散射光谱等表征手段对比研究氧化锌薄膜辐照前后结构和光学性质的变化.

摘要： 本发明提供了一种调控高定向热解石墨表面缺陷位电荷密度和缺陷位数量的方法，属于石墨调控技术领域。本发明通过限定离子束的能量，轰击HOPG表面能够形成原子级别点缺陷结构，避免能量过大破坏石墨表面；通过控制扫描隧道测试的偏压，改变缺陷位电荷密度和缺陷位数量，氮离子经过低能轰击后会与高定向热解石墨表面碳原子形成C‑N键，局部会出现n型掺杂状态，氮元素所带的额外电子会增加点缺陷附近的电子态密度，且改变偏压之后，部分点缺陷会在正偏压下呈现高电子态密度，部分点缺陷是在低偏压下呈现高电子态密度，部分点缺陷的电子态密度不随偏压值的改变而不变，即实现对点缺陷的数量调控。

摘要： 提供了一种允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及一种用于管理缺陷的方法和设备。根据该高密度一次写入记录介质，数据以轨道或簇被写入该记录介质，写入的数据被验证，并且如果发现缺陷，则缺陷部分被跳过，并且相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。使用滑移替换的缺陷管理方法应用于在其中缺陷被发现的高密度一次写入记录介质，由此通过将在该记录介质中发现的缺陷滑移来允许连续记录，并且还提高了该记录介质的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种消除钛合金铸锭低密度夹杂缺陷来源的方法，该方法包括：一、在VAR熔炼法的熔炼后期，通过控制收弧工艺的预留自耗电极质量、熔炼电流、电压、稳弧参数，得到冒口端面平整、无缝隙的钛合金半成品铸锭；二、车削平头处理使得钛合金半成品铸锭冒口端面平整、无缝隙、无飞边、无挥发物、氧化物、夹杂及外来物残留；三、检查并去除残留物后进行后续熔炼得到钛合金铸锭。本发明通过控制半成品铸锭熔炼后期收弧工艺的预留自耗电极质量、熔炼电流、电压、稳弧参数，结合车削平头处理，避免了钛合金半成品铸锭冒口端面出现缝隙渗入挥发物、夹杂物产生局部富集且无法发现、去除，从源头上消除了钛合金铸锭低密度夹杂缺陷来源。

摘要： 本发明公开了一种光学元件亚表面缺陷深度和密度同步检测的装置及方法，涉及精密光学检测技术领域。为了在检测光学元件损伤密度的同时检测出缺陷的深度，本发明提供了一种光学元件亚表面缺陷深度和密度同步检测的装置，由光源调制组件、缺陷检测组件、放置待测件的位移台以及计算机组成，光源调制组件的光路与待测件表面的法线成夹角布置；缺陷检测组件的光路与待测件表面的法线成夹角布置；计算机分别与荧光CCD探测器和位移台相连；位移台为三维电控机构。本发明提供一种光学元件亚表面缺陷深度和密度同步检测的装置，突出缺陷深度和密度同步快速测量，既可以测量被测件不同位置的亚表面缺陷，也可以适应不同厚度的被测件的测量。

摘要： 本发明公开了一种高密度聚乙烯管道热熔对接接头缺陷检测系统及方法，系统中，信号发射与接收模块实现超声信号的发射与接收；FPGA数据处理模块包括波束产生子模块和逻辑时序控制子模块以及位移解调算法子模块、DDR缓存子模块、算法滤波子模块、存储子模块和通信模块；ARM数据管理模块包括液晶显示子模块和按键控制子模块以及成像存储子模块和信号存储子模块；电源管理模块用于为其他模块提供电源。通过本发明的技术方案，实现超声信号高速率、多通道实时采集，实现丰富的测量功能，提高了检测效率和检验过程的智能化程度。

摘要： 本发明公开了一种基于局部密度信息的软件缺陷数据自适应过采样方法，本发明首先在数据预处理阶段使用Min‑Max归一化方法统一量纲，使用提出的AgglomerativeClustering‑Relief特征选择方法，降低数据维度并删除冗余特征。然后在自适应分组采样阶段，通过分析在低维状态下的少数类实例的局部密度信息，将所有少数类实例根据各自的分布特点划分至不同的分组，并针对不同分组中的少数类实例，采用针对性的过采样策略进行自适应过采样。最终使数据集中两类样本数量达到平衡，从数据层面解决不平衡问题。

摘要： 本发明公开了一种基坑止水帷幕缺陷研究用的高密度电法试验箱及试验方法，属于高密度电阻率法测量技术领域，包括：用于容纳固态颗粒物的密封容器；密封容器内设置有将内腔分割为注液腔和排液腔的分隔板，分隔板上开设有M个导流孔；在每个导流孔处设置有阀门；M为大于0的自然数；注液腔的顶部开设有注液端口；排液腔的底部或者侧壁底部开设有排液端口；注液端口和排液端口均设置有控制阀；设置于排液腔内的N根探测管；N为大于2的自然数；设置于注液腔内的L根探测管；用于获取下放至探测管内电极测值的高密度电阻率法设备。针对高密度电阻率法室内模拟实验的需求，通过调整导流孔开度和地下水位进而对缺陷处渗漏状态进行试验。

摘要： 本发明提供了一种金属材料缺陷密度的测量方法，涉及金属材料缺陷密度定量分析调控材料性能的技术领域。此方法包括建立原始数据集、对原始数据进行预处理、判断晶界存在、计算弹性扭曲张量、计算位错密度和计算向错密度六个步骤。相比于传统的微观缺陷组织分析方法，本方法首次引入李代数数学工具对描述向错等晶体缺陷旋转特性和结构的旋转矢量如弗兰克矢量进行定量分析，突破现有材料缺陷密度测量方法和难以准确表述及计算旋转矢量的束缚，提出一种对旋转矢量的微分计算方法，并结合金属材料待测区域EBSD数据量化位错、向错等微观缺陷，为分析向错等晶体缺陷对材料性能的影响提供了重要参考。

摘要： 本发明公开了一种降低BaTiO3陶瓷中双孪晶缺陷密度的粉末烧结方法，该方法包括如下步骤：将无掺杂BaTiO3商业纳米粉末在节能箱式电炉中800°C煅烧，使得粉末和空气充分接触，接着将煅烧后的粉末放入放电等离子烧结(SPS)中烧结至900°C～1200°C之间。与未在空气中煅烧的粉末在SPS烧结相比，本发明通过合适的粉末煅烧气氛，大大降低了样品的双孪晶缺陷密度。

摘要： 本发明提供一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法，包括：硅衬底、复合缺陷过滤层和氮化物功能层；复合缺陷过滤层包括第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层；第一缺陷过滤层、第二缺陷过滤层及第三缺陷过滤层生长过程中的生长压力逐次增加，通入氢气流量及均值生长温度均逐次减小；第一缺陷过滤层包括M层生长温度逐层增加，V/III比逐层减少的AlN层；第二缺陷过滤层包括N层Al组分逐层减少，V/III比逐层增加的AlaGa1‑aN层；第三缺陷过滤层包括L层生长压力逐层增加的GaN层。本发明解决了现有AlN和AlGaN材料层侧向生长不强烈，位错密度高的问题。