新日鉄、高性能パワー半導体向け6インチSiCウエハ開発

摘要

新日本製鉄は12月6日、高性能パワー半導体の量産·普及のカギとなる6インチ径の炭化ケイ素（SiC）単結晶ウエハを開発したと発表した。2012年度にサンプル出荷を始める。自動車向けの用途ではデバイスの製造コストの低減要求が強いため、従来の4インチから大径化したことで実用開発の本格化が見込まれる。パワー半導体市場では、自動車や鉄道向けなど、6インチの普及開始が2015年ごろと見られており、新日鉄は市場動向を見ながら量産時期を探る。