分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

摘要

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ｇＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜昌体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着（１１１）方向倾斜一个小角度，界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。