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吴亮亮; 王丛; 高达; 王经纬; 刘铭; 周立庆;
华北光电技术研究所;
北京 100015;
碲锌镉; 溴甲醇; 表面粗糙度; 反射式高能电子衍射; 碲镉汞;
机译:湿化学法从回旋加速器中α束照射的 209 sup> Bi靶中分离无载子的 211 sup> At / 211g sup> Po
机译:等离子体辅助分子束外延技术在Si(211)衬底上进行GaN纳米线的纳米捕获
机译:(211)B和(100)GaSb衬底上分子束外延生长外延ZnTe层的临界厚度的确定
机译:(211)B CdZnTe衬底上分子束外延生长HgCdTe的现状
机译:用于溴化镓分子束外延的表观准备就绪的溴离子束辅助刻蚀的锑化镓镓衬底的开发。
机译:AlxGa1-xN衬底表面性能的改性湿化学处理处理具有梯度铝成分的材料
机译:分子束外延生长的CdTe脱落剂对(211)Ba GaAs衬底的互核空间映射研究
机译:通过离子束沉积将外延siC层生长到轴上和轴外6H-siC衬底上。
机译:分子束外延用于III-V化合物半导体的选择性外延生长。
机译:平面外可变形半导体衬底,制造外平面可变形半导体衬底的方法,以及平面内和平面外可变形半导体衬底
机译:通过半导体工业中使用的分子束外延在晶体衬底上生产半导体层包括使用具有预定取向错误的邻近衬底在指定温度下生长
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