GaN外延用蓝宝石衬底的图形化

目录

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 图形化蓝宝石衬底的制备方法

1.2.1 干法刻蚀

1.2.2 湿法腐蚀

1.3 国内外研究现状

1.3.1 图形化蓝宝石的图形尺寸

1.3.2 图形化蓝宝石衬底的图形形貌

1.4 图形化蓝宝石的作用机理

1.4.1 图形化蓝宝石衬底减少外延材料中的位错密度

1.4.2 提高出光率

1.5 课题目的和设计思路

第二章 实验内容与检测方法

2.1 实验药品与仪器

2.2 结构与性能表征方法

2.2.1 扫描电子显微镜

2.2.2 原子力显微镜

2.2.3 台阶仪

2.2.4 X射线衍射仪

第三章 单层PS胶体球掩膜的制备

3.1 引言

3.2 衬底的处理

3.2.1 蓝宝石衬底的清洗

3.2.2 玻璃衬底亲水性处理

3.2.3 SiO2-蓝宝石衬底的清洗

3.3 单层PS胶体球掩膜的制备

3.3.1 旋涂法制备PS胶体球掩膜

3.3.2 滴定法制备PS胶体球掩膜

3.3.3 气液界面自组装法制备PS胶体球掩膜

3.4 ICP刻蚀PS胶体球

3.5 PS胶体球掩膜结果与分析

3.5.1 旋涂法制备PS胶体球掩膜结果与分析

3.5.2 滴定法制备PS胶体球掩膜结果与分析

3.5.3 气液界面自组装法制备PS胶体球掩膜结果与分析

3.5.4 醇水比例对胶体球掩膜制备的影响

3.6 ICP刻蚀胶体球结果分析

3.6.1 ICP刻蚀功率对PS胶体球直径的影响

3.6.2 O2流量对胶体球直径的影响

3.6.3 刻蚀时间对胶体球直径的影响

3.7 本章小结

第四章 二氧化硅纳米柱掩膜的制备

4.1 引言

4.2 样品制备

4.2.1 二氧化硅薄膜的制备

4.2.2 SiO2纳米柱掩膜的制备

4.3 工艺参数对二氧化硅薄膜制备的影响

4.3.1 溅射功率对二氧化硅薄膜沉积速率的影响

4.3.2 溅射压强对二氧化硅薄膜沉积速率的影响

4.4 二氧化硅纳米柱掩膜制备分析

4.4.1 刻蚀功率对二氧化硅刻蚀的影响

4.4.2 刻蚀气体流量对二氧化硅刻蚀的影响

4.4.3 刻蚀时间对二氧化硅刻蚀的影响

4.5 本章小结

第五章 湿法腐蚀制备纳米图形化蓝宝石衬底

5.1 引言

5.2 样品制备

5.2.1 图形化蓝宝石衬底的制备

5.2.2 GaN制备

5.3 不同比例的酸溶液对蓝宝石衬底制备的影响分析

5.4 图形化蓝宝石的图形形貌与结构分析

5.4.1 湿法腐蚀中间产物对蓝宝石衬底的影响分析

5.4.2 不同腐蚀温度对蓝宝石衬底的影响分析

5.4.3 不同腐蚀时间对蓝宝石衬底的影响分析

5.5 GaN质量分析

5.6 本章小结

第六章 结论与展望

6.1结论

6.2展望

参考文献

攻读学位期间所取得的相关科研成果

致谢