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李艳秋; 黄国胜; 徐彧; 张飞;
中国科学院电工研究所,北京中关村北二条6号;
光刻; 仿真; ArF光刻机; 光学系统;
机译:将Arf光刻技术扩展到11 nm寿命随着“计算光刻技术”的发展而变化:优化掩模图案和曝光设备的光学系统
机译:用于ArF浸没式光刻的光刻性能的全场分析
机译:通过ArF浸没光刻工艺在300 mm SOI晶片上制造的基于Si-纳米线的多级延迟Mach-Zehnder干涉仪光学MUX / DeMUX
机译:利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能:可控侧壁角 r n利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能:可控侧壁角
机译:研究非晶态三硫化二砷中的银光掺杂机理,以及碲化银-三硫化二砷体系作为无机光刻胶的亚微米光学和深紫外光刻技术的潜力
机译:芳基环氧热固性树脂的光刻性能作为微光学的阴性光致抗蚀剂
机译:ARF光刻光拍发电机设计中的性能权衡。
机译:用于arF光刻的酸催化单层抗蚀剂
机译:盐酸盐作为光生酸剂和光阻组合物,其组成适用于ARF准分子激光光刻,KRF准分子激光光刻和ARF浸没光刻
机译:ArF光刻技术和ArF光刻技术的成员
机译:适于作为酸产生剂的盐,适用于ARF准分子激光光刻,KRF准分子激光光刻,EUV,乳化光刻和电子束光刻的光致抗蚀剂组合物,以及光致抗蚀剂的制造方法
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