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碳化硅晶片减薄工艺试验研究

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摘要

研究了用减薄磨削的方式代替碳化硅晶片制片过程中的研磨工序,对线切割后的碳化硅晶片进行磨削试验;对比了减薄和研磨磨削的加工效率,分析了晶片表面粗糙度和晶片厚度变化量.

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来源
《电子工业专用设备》|2018年第1期|3-6,24|共5页
作者
梁津; 赵岁花; 高岳;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176;

中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176;

中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
碳化硅; 研磨; 减薄; 试验研究;

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