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李兆营; 公衍生; 田永尚; 江峰; 张志龙;
中国地质大学(武汉)材料与化学学院,湖北武汉430074;
氮化钛; 薄膜; 射频磁控溅射; 沉积温度; 微观结构; 表面形貌;
机译:沉积温度对射频磁控溅射Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜结构和物理性能的影响
机译:退火温度对射频磁控溅射沉积TiO_2薄膜结构,力学和润湿性能的影响
机译:衬底温度对反应性射频磁控溅射沉积ZnO薄膜结构和光学性能的影响
机译:基材对射频磁控溅射法通过射频磁控溅射法对Bi_(0.9)Nd_(0.1)FeO_3薄膜结构和磁性的影响
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:射频磁控溅射法生长的锗量子点与衬底温度相关的表面形貌和光致发光
机译:功率变化对射频磁控溅射沉积HgCdTe薄膜微观结构和表面形貌的影响
机译:沉积条件对射频磁控溅射mos2薄膜的影响
机译:用于溅射沉积源的磁性装置,磁控溅射沉积源以及利用磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法
机译:圆柱形旋转磁控溅射阴极装置及利用射频辐射沉积材料的方法
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