SiC混合功率模块封装工艺

摘要

SiC(碳化硅)材料作为第三代半导体材料,具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点,因此,SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能.基于此,同时为了实现模块的自主可控化,将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代,制作SiC混合功率模块.主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序:回流、铝线键合、点胶、灌胶.