摘要
ABSTRACT
1 引言
1.1 智能功率模块概述
1.1.1 功率MOSFET 发展现状
1.1.2 IGBT 发展现状
1.1.3 智能功率模块的特点和发展现状
1.1.4 常用智能功率模块封装结构
1.1.5 常用智能功率模块封装材料
1.2 低功耗智能功率模块特点与应用简介
1.2.1 低功耗智能功率模块特点
1.2.2 低功耗智能功率模块设计结构
1.2.3 低功耗智能功率模块的应用
1.3 本文研究的目的与内容
2 双列直插型低功耗智能功率模块封装结构设计与工艺
2.1 模块封装结构
2.2 模块封装工艺流程
2.3 低功耗智能功率模块封装工艺的主要缺陷
2.4 本章小结
3 芯片焊接空洞缺陷形成的机理及其解决措施
3.1 芯片焊接空洞缺陷状况
3.2 芯片焊接空洞缺陷形成机理分析
3.2.1 工艺材料的影响
3.2.2 工艺夹具的影响
3.2.3 工艺参数的影响
3.3 缺陷改善实验设计方案
3.3.1 以DBC 为基板的芯片焊接空洞改善实验设计方案
3.3.2 以IMS 为基板的芯片焊接空洞改善试验设计方案
3.4 试验结果与分析
3.4.1 焊接优化正交试验结果
3.4.2 影响芯片焊接空洞的因素分析
3.4.3 针对温度曲线进行优化的试验设计结果
3.4.4 改善措施
3.5 本章小结
4 塑封不完整缺陷形成的机理及其解决措施
4.1 塑封缺陷状况
4.2 塑封缺陷形成的机理分析
4.2.1 塑封工艺流程分析
4.2.2 材料,工具设备及工艺参数分析
4.2.3 工艺参数的影响
4.2.4 EMC 材料本身的影响
4.2.5 模具的影响
4.2.6 模块塑封体设计的影响
4.3 缺陷改善试验设计方案
4.3.1 试验设计方案,结果与分析
4.3.2 改善措施
4.4 本章小结
5 总结与展望
参考文献
致谢
攻读学位期间发表的学术论文
上海交通大学学位论文答辩决议书