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毕叔和;
无;
Ⅲ-Ⅴ族 ; 化合物半导体 ; 氮化镓 ; 外延生长 ; 衬底 ;
机译:脉冲激光沉积在(100)和(001)γ-LiAlO2 sub>衬底上外延生长ZnO薄膜
机译:通过脉冲激光沉积在(100)和(001)γ-LiAlO2衬底上外延生长ZnO膜
机译:通过HVPE方法在NGO衬底上外延生长GaN-开发用于制造激光二极管的GaN衬底
机译:氢化物气相外延(100)γ-LiAlo2上(100)γ-LiAlo2上的C平面GaN膜的生长
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:在γ-LiAlO2(100)衬底上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:在LiAlO2(001)衬底上生长的非极性m面GaN膜和极化的InGaN / GaN LED
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
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