基片对SrTiO3薄膜结构与介电性能的影响

何世明; 李言荣; 刘兴钊

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基片对SrTiO3薄膜结构与介电性能的影响

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对比研究了MgO和LaAlO3(LAO)单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3(STO)薄膜的微观结构和介电性能.通过XRD,AFM和制备叉指电容测量的方法研究发现,在MgO基片上生长高质量(00L)织构STO薄膜需要较高的生长温度;LAO基片上的STO薄膜更加平整;而MgO上的STO薄膜具有更高的零偏压介电常数和更强的非线性介电性质.

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来源
《电子元件与材料》 |2006年第4期|36-38|共3页
作者
何世明; 李言荣; 刘兴钊;
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作者单位

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;

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正文语种 chi
中图分类绝缘材料、电介质及其制品;
关键词
无机非金属材料; SrTiO3薄膜; 基片; 微观结构; 介电性能;

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