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SrTiO3系粒界絶縁コンデンサの絶縁特性,誘電損失に及ぼす SiO2,B2O3の効果

机译:SiO2,B2O3对SRTIO3基晶边缘绝缘电容器绝缘性能和介电损耗的影响

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摘要

半導体セラミック素子の 1 つである粒界絶縁コンデンサの絶縁特性は,粒界に形成されるダブルシ ョットキー障壁の高さに依存すると考えられている.絶縁特性の良い粒界絶縁コンデンサを得るためには, 添加物としてアクセプター元素と低融点酸化物を加える必要があることが知られており,これら添加物の粒 界における効果を明らかにすることは素子の特性を向上するうえで重要である.ここで,直流における絶縁 特性への添加物の効果は広く議論されているが,誘電体としての交流における誘電損失との関係については 明らかにされていない.
机译:作为半导体陶瓷元件之一的晶界绝缘电容器的绝缘性能被认为是取决于在晶界处形成的双重关键屏障的高度。为了获得具有绝缘性的晶粒边界绝缘电容器,已知需要将受体元素和低熔点氧化物作为添加剂加入,并且它是阐明这些添加剂在晶粒区域中的作用这些添加剂对于改善装置的特性非常重要。这里,广泛讨论了添加剂在直流电流中的绝缘性能的影响,但是与电介质的交流电中的与电介质损耗的关系尚未阐明。

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