后续处理对SrTiO3基晶界层电容器绝缘电阻的影响

摘要

采用二步法制备SrTiO3晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200°C 条件下对SrTiO3晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ 上升至200 GΩ.通过处理,最后可获得平均介电常数为30000,损耗为0.003,绝缘电阻(50 V测量)为200 GΩ 的高性能SrTiO3晶界层电容器.