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公开/公告号CN113674994A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 广州天极电子科技股份有限公司;华南理工大学;
申请/专利号CN202111112404.6
发明设计人 冯毅龙;卢振亚;吕明;曾石稳;
申请日2021-09-23
分类号H01G4/10(20060101);H01G4/00(20060101);
代理机构11569 北京高沃律师事务所;
代理人霍苗
地址 511400 广东省广州市南沙区东涌镇昌利路六街6号
入库时间 2023-06-19 13:18:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-10
授权
发明专利权授予
机译: 钛酸锶基晶界势垒层电容器的制造方法
机译: 含绝缘晶界的钛酸锶基电容器应用半导体陶瓷
机译:石墨烯/钛酸锶:通过晶界工程接近多晶氧化物钙钛矿纳米复合材料中的单晶电荷转移
机译:低温单烧高介电常数SrTiO_3基晶界势垒层电容器材料
机译:一种研究Ni基单晶超合金晶界晶界的定量方法
机译:SrTiO / sub 3 /基晶界势垒层电容器材料的一步式低温烧结
机译:钛酸锶(001)单晶的吸附和表面化学研究:(I)甲基自由基,(II)氨和吡啶,(III)钒基三异丙氧基。
机译:晶界倾斜的双晶钛酸锶的同时原子和连续模拟
机译:石墨烯/钛酸锶:通过晶界工程接近多晶氧化物钙钛矿纳米复合材料中的单晶电荷输送
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长