一次低烧SrTiO_3基晶界层电容器的研究

摘要

研究了以Ｌｉ＿２ＣＯ＿３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ＿（１／４）Ｎｂ＿（３／４））Ｏ＿３为施主掺杂剂、Ｂｉ＿２Ｏ＿３和ＳｉＯ＿２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ＿３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃饶成温度下，获得了ε＿（ａｐｐ）＞３．５×１０￣４；ρ＞１．０×１０￣（１１）Ω·ｃｍ；ｔｇδ＜１．０％；△Ｃ／Ｃ＜±５．０％（－２５～＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ＿３基晶界层电容器材料。