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一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及制备方法

摘要

本发明公开了一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法,电容器的材质成分包括基本原料和无机单晶颗粒,单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%,基本原料按质量百分比包括SrTiO394‑98%、Nb2O50.05‑1%、La2O30.05‑1%、SiO20.5‑2%、MgO0.2‑1%、Al2O30.2‑1%和TiO2 0.1‑1%,且基本原料的组分和为100%。将上述原料混均流延成型,还原气氛中烧成,然后在表面涂覆氧化物,空气中氧化烧成,施加电极,得到SrTiO3晶界层电容器。本发明直接将无机单晶颗粒加入流延成型浆料中,在还原烧成中促进了晶粒的均匀生长,有益于电容器耐电压可靠性的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN109942291B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201910191986.8

  • 发明设计人 吕明;贺凡;

    申请日2019-03-14

  • 分类号C04B35/47(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);H01G4/12(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍;江裕强

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:11

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