退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109942291B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201910191986.8
发明设计人 吕明;贺凡;
申请日2019-03-14
分类号C04B35/47(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);H01G4/12(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍;江裕强
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 12:17:11
机译: SrTiO3基晶界势垒层电容器
机译: 晶界层型半导体陶瓷电容器的分散剂涂层方法
机译: 晶界层型半导体陶瓷电容器的制造
机译:氢致SrTiO_3基晶界势垒层陶瓷电容器的退化
机译:低温单烧高介电常数SrTiO_3基晶界势垒层电容器材料
机译:一种研究Ni基单晶超合金晶界晶界的定量方法
机译:SrTiO / sub 3 /基晶界势垒层电容器材料的一步式低温烧结
机译:电场对SrTiO3晶界核心结构的影响
机译:非化学计量SrTiO3-δ热电材料中还原石墨烯控制的晶界界面
机译:氢致SrTiO3基晶界势垒层陶瓷电容器的退化
机译:ZT对比sTEm成像和srTiO中晶界的ab-Initio计算