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薛丽君; 刘明; 王燕; 禡龙; 鲁净; 谢常青; 夏洋;
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室;
清华大学微电子研究所;
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管; 泊松方程; 薛定谔方程; 流体力学方程; 二维模拟; 偏栅;
机译:基于渐变Al_xGa_(1-x)N缓冲层改善AIGaN / GaN / Al_xGa_(1-x)N HEMT的击穿特性
机译:Al_xGa_(1-x)/ GaN HEMT中I-V和C-V特性的紧凑摩尔分数依赖性建模
机译:RuO_x栅极热退火对200mm硅上Al_xGa_(1-x)N / GaN HEMT的电学特性的影响
机译:AL_XGA_(1-X)N / GAN异质结构的二维电子气体的运输特性
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:采用siO 2 / alGaN栅堆叠的横向GaN HEmT的俘获特性和参量位移
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:自对准侧壁栅GaN HEMT的栅金属化方法
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