机译:GaN缓冲中的体阱对AlGaN / GaN HEMT的栅极滞后瞬态特性的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT中AlGaN / GaN界面陷阱对负阈值电压偏移的作用
机译:透明AZO门控AlGaN / GaN HEMT的光响应和陷阱特性
机译:SiO
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:直流闸门泄漏电流模型占Algan / GaN Hemts诱捕效果的占用