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肖素红; 郭敬东; 李守新;
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室;
材料科学基础学科; 共面双滑移; 脉冲电流处理; 位错结构;
机译:[001]铜单晶的循环变形行为与位错结构-II位错结构的特征
机译:电子通道对比成像表征与单晶和挤压系统有关的位错结构以及铜单晶中的疲劳裂纹
机译:旋转电子通道对比度成像分析疲劳铜单晶中位错结构
机译:边界条件对疲劳铜单晶模拟位错图形影响的研究
机译:含位错的铜单晶的磁阻和费米表面。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:HClO4水溶液疲劳时铜单晶的饱和位错微观结构
机译:电沉积铜和镍单晶界面附近的位错
机译:无位错单晶硅的制造方法及无位错单晶硅锭
机译:制备无位错的单晶硅棒,包括连续熔化多晶棒,用单晶种晶接种熔融材料,以及重结晶成单晶棒。
机译:无位错硅单晶生长预处理操作
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