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王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤;
中国科学院半导体研究所材料中心;
中国科学院微电子中心;
分子束外延; AlGaN/GaN; 高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 功率器件; 场效应晶体管;
机译:HR-Si衬底上用于AlGaN / GaN HEMT的435mS / mm跨导,具有优化的栅源间距
机译:MBE在Si(111)上通过MBE生长的AlGaN / GaN / AlGaN DH-HEMT
机译:MBE在SiC,Si(111)和GaN模板上通过MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的结构和电性能
机译:具有1.89 S / mm本征跨导,4 A / mm漏电流,204 GHz fT和405 GHz fmax的N极性GaN / InAlN / AlGaN MIS-HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:通过MBE的100-mm Si(111)上的AlGaN / GaN HEMT异质结构的生长和表征
机译:用于机载雷达的非制冷射频电子设备。 mBE的alGaN / GaN HEmT结构开发
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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