硅基GaN外延层的光致发光谱

张昊翔; 叶志镇; 卢焕明; 赵炳辉

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硅基GaN外延层的光致发光谱

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报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出ＧａＮ外延层，并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对ＧａＮ外延层的发光特性产生影响。Ｓｉ（１１１）衬底比Ｓｉ（１００）衬底更有利于ＧａＮ外延层的单色发光。退火使ＧａＮ外延层的发光强度降低。在１０５０ ℃下生长的ＧａＮ外延层的发光强度高于其他温度下生长的ＧａＮ

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来源
《半导体光电》 |1999年第2期|120-122|共4页
作者
张昊翔; 叶志镇; 卢焕明; 赵炳辉;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23.055;
关键词
半导体材料; 氮化镓; 光致发光; 外延层;

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