硅基GaN外延层微结构的HREM研究

摘要

@@ 由于GaN薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景,目前国际上对其进行了广泛的研究,但这些应用的实现有赖于生长出高质量的GaN单晶薄膜,以便有目的地掺杂n-型和p-型.迄今为止,GaN生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石(α-Al2O3)衬底上,而将最具有技术应用价值的硅作为衬底,异质外延GaN薄膜的工作所做较少,这是由于硅衬底与GaN存在有较大的晶格失配和热失配,难于生长出高质量的GaN薄膜,本文中,我们对750℃-800℃MOCVD法Si(111)衬底上异质外延生长的GaN薄膜微结构,进行了HREM的系统研究,获得了有意义的结果.