机译:通过在c面蓝宝石衬底上使用MOCVD生长的具有Pt纳米簇的InGaN / GaN外延层的微结构表征
LED; Microstructure; MQWs; Pt nanoclusters; TEM;
机译:通过在c面蓝宝石衬底上使用MOCVD生长的具有Pt纳米簇的InGaN / GaN外延层的微结构表征
机译:在m面GaN衬底和c面蓝宝石上生长的InGaN / GaN量子阱中掺入铟
机译:在a和c平面蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的结构和光学特性
机译:在蓝宝石衬底上使用MOCVD生长的未掺杂GaN外延层的SAW滤波器的特性研究
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:用mOCVD在蓝宝石衬底上生长高铟浓度的InGaN / GaN