硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究

摘要

该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析（定量）和深度剖析（定性），发现外延层Ga和N组份分布均匀，并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的SiO<,2>。