Au—Si界面的室温反应

摘要

利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有结果表明,与Au—Si(111)和Au～Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML。从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特征。根据实验结果,讨论了Au—Si界面室反应的可能模型。