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机译:串联电阻和界面态对室温下Au /(Co_3O_4掺杂PVA)/ n-Si结构的C-V和G / w-V特性的影响
Department of Computer Aided Design and Animation, Vocational School of Design, Amasya University, Amasya, Turkey;
Department of Physics, Faculty of Science, Bingöl University, Bingöl, Turkey;
Department of Physics, University of Mohaghegh Ardabili, P.O. Box 179, Ardabil, Iran,Department of Engineering Sciences, Sabalan University of Advanced Technologies, Namin, Iran;
Department of Physics, Faculty of Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey;
机译:室温下串联电阻和界面状态对Au / Bi掺杂聚乙烯醇(PVA)/ n-Si肖特基势垒二极管I-V,C-V和G /ω-V特性的影响
机译:室温下串联电阻和界面状态对Au / Bi掺杂聚乙烯醇(PVA)/ n-Si肖特基势垒二极管I-V,C-V和G /ω-V特性的影响
机译:界面陷阱,串联电阻和(Ni掺杂的PVA)中间层对Al / p-Si(MS)结构中电特性的作用
机译:宽温度范围内INP(P)/ INSB / AL_2O_3 / AU MIS结构的C-V特性分析
机译:温度对掺杂有银纳米颗粒和多壁碳纳米管的聚乙烯醇(PVA)薄膜的表面电阻率的影响,用于光电和传感器应用
机译:纳米结构Au的催化活性:纳米多孔Au在低温CO氧化中的尺度效应与双金属/双功能效应
机译:(0.01Ni-PVA)中间层,接口疏水阀(DIT)和串联电阻(RS)在室温下Au / n-Si(MS)结构中的传导机构(CMS)的影响
机译:栅极电极对结构m-TmF sub 3 -siO sub 2 -si的C-V特性的影响