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工艺参量对Ni80Fe20薄膜结构与磁电阻特性的影响

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摘要

NiFe薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻率,可广泛应用于磁记录和磁传感器.本文研究了工艺条件对电子束蒸发方法制备的Ni80Fe20薄膜磁电阻特性及微结构的影响,获得了制备各向异性磁电阻率达3%～4%的Ni80Fe20薄膜的工艺条件.

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来源
《物理实验》 |2006年第6期|8-11|共4页
作者
吴平; 李希; 高艳清; 邱宏; 王凤平; 潘礼庆; 田跃;
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作者单位

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

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北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
Ni80Fe20薄膜; 电子束蒸发; 磁电阻; 薄膜结构;

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